位置檢測(cè)芯片/磁阻二維感應(yīng)開關(guān)系列/6D724BD5DFFB48EABC17C25FB1473CA2.png)
MT6133
MT6133 簡(jiǎn)介 MT6133采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.65V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。...
位置檢測(cè)芯片/磁阻二維感應(yīng)開關(guān)系列/6D724BD5DFFB48EABC17C25FB1473CA2.png)
MT6133 簡(jiǎn)介 MT6133采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.65V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。...
位置檢測(cè)芯片/磁阻二維感應(yīng)開關(guān)系列/557571F674B6402981E750DB303A0896.png)
MT6132 簡(jiǎn)介 MT6132采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.65V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。...
位置檢測(cè)芯片/磁阻二維感應(yīng)開關(guān)系列/613X0059.png)
MT6131 簡(jiǎn)介 MT6131采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.65V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。...
位置檢測(cè)芯片/磁阻一維感應(yīng)開關(guān)系列/6343.png)
MT6343 簡(jiǎn)介 MT6343采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.8V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。 ...
位置檢測(cè)芯片/磁阻一維感應(yīng)開關(guān)系列/6341.png)
MT6341 簡(jiǎn)介 MT6341采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.8V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使的芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。 ...
位置檢測(cè)芯片/磁阻一維感應(yīng)開關(guān)系列/6325_0059.png)
MT6325-L 簡(jiǎn)介 MT6325采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.8V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性...
位置檢測(cè)芯片/磁阻一維感應(yīng)開關(guān)系列/3232A4B49FFF4074B3A025925462BA89.png)
MT6325 簡(jiǎn)介 MT6325采用單芯片集成工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了AMR橋阻與ASIC芯片。1.8V~5.5V工作電壓,并且具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償能力,使得芯片能工作在-40~125℃環(huán)境中,并保持優(yōu)良的性能以及一致性。 ...