位置檢測芯片/低壓高速系列/876x_37.png)
MT8762
MT8762 簡介 MT8762采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.4V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,100KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能工作在-40...
位置檢測芯片/低壓高速系列/876x_37.png)
MT8762 簡介 MT8762采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.4V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,100KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能工作在-40...
位置檢測芯片/低壓高速系列/3303.png)
MT3303-EN 簡介 MT3303-EN采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能...
位置檢測芯片/低壓高速系列/4409_0059.png)
MT4409-EN 簡介 MT4409-EN采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能...
位置檢測芯片/低壓高速系列/3411.png)
MT3411-EN 簡介 MT3411-EN采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能...
位置檢測芯片/低壓高速系列/1401_16.png)
MT1401-EN 簡介 MT1401-EN采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能...
位置檢測芯片/低壓高速系列/8181_70.png)
MT8181 簡介 MT8181采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能工作在-40...
位置檢測芯片/低壓高速系列/8962_0059_82.png)
MT8962 簡介 MT8962采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。具有寬泛的工作電壓(2.7V~24V),以及良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,100KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使的芯片...
位置檢測芯片/低壓高速系列/0CDEF5F9CB86430C9CED4C2005CB7390.png)
MT8912 簡介 MT8912L采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。具有寬泛的工作電壓(2.7V~24V),以及良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,100KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使的芯...
位置檢測芯片/低壓高速系列/891X0059.png)
MT8911 簡介 MT8911采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。具有寬泛的工作電壓(2.7V~24V),以及良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,100KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使的芯片...
位置檢測芯片/低壓高速系列/8162_0059_73.png)
MT8162 簡介 MT8162采用BCD工藝,具有高性能以及高可靠性。芯片內(nèi)集成了霍爾感應(yīng)元件。工作電壓(2.8V~24V),良好的反向電壓保護能力和過流保護能力,400KHz的采樣頻率。并且具有優(yōu)良的溫度補償能力,使得芯片能工作在-40...